搜索
搜索

繁中

/
/
從 Micro LED 到 CPO:禹創半導體打造下一代光電集成關鍵平臺

從 Micro LED 到 CPO:禹創半導體打造下一代光電集成關鍵平臺

【概要描述】鎖定800G/1.6T升級浪潮,以「可驗證、可量產、可交付」加速AI算力中心光互連落地。 禹創半導體今日宣佈:將以現有Micro LED 技術平臺與量產導入經驗為基礎,正式跨入CPO(Co-Packaged Optics,共同封裝光學)領域,打造面向AI算力中心、資料中心與高速交換架構的下一代光電整合關鍵平臺,協助產業解決全球AI基礎設施競爭中最關鍵的系統瓶頸之一——在功耗與散熱壓力持續升高的情況下,仍能實現海量資料的高效率傳輸與可擴展互連。 圖1:架構示意圖     三大亮點:定義下一代互聯標準  對準800G/1.6T升級視窗:回應AI資料中心頻寬倍增與互連能耗壓力,光互連成為下一代平臺剛需。  Micro LED可量產系統工程能力可直接遷移:高密度I/O、封裝整合、熱管理、制程視窗、可靠度驗證與測試體系,匹配 CPO 核心挑戰。  國際深度共研合作加速產品化:co-spec/co-validation/co-design 與供應鏈長期 alignment,建立更高進入門檻與交付確定性。   產業背景:銅纜電互連到極限 隨著「算力即國力」與主權AI成為國家級戰略重點,全球正加速投入AI計算基礎設施建設,網路頻寬需求幾乎以倍數速度成長,從400G快速邁向800G、1.6T乃至更高。傳統纜電互連在頻寬密度、傳輸距離、功耗與散熱方面存在不可逾越的物理限制,已成為系統擴展性與能效提升的核心瓶頸;在高端GPU單晶片功耗持續攀升的趨勢下,互連能耗與熱負載問題更加突出,光互連不再是選項,而是基礎設施。 圖2:AI 算力中心組網架構(來源:《光學學報》, 2025, Fig.10)   架構趨勢:矽光子 + CPO 成為必然演進路線 產業普遍認為矽光子(Silicon Photonics)與CPO是下一代架構演進方向。透過將光引擎更靠近甚至直接與計算/交換晶片整合,CPO可顯著降低互連功耗損失、熱負載與系統複雜度,提升頻寬密度與整體能效。   禹創策略:以「可量產系統工程」切入 CPO,縮短導入週期、提升交付確定性 在Micro LED領域長期累積的能力,核心不僅是晶片設計,更涵蓋 高密度 I/O、封裝整合、熱管理、制程視窗控制、可靠度驗證與測試體系建置等「可量產系統工程」。上述能力與 CPO 的關鍵挑戰高度重迭,使禹創得以把既有方法論遷移到高速光互連架構,縮短從工程樣品到商用導入的週期,並提升交付確定性。 禹創半導體表示:「我們以『可驗證、可量產、可交付』為CPO佈局的核心原則,透過系統級整合與全球夥伴協同,加速下一代高速光電整合平臺的產品化與落地部署,建立長期競爭力。」   系統級平臺佈局:電子IC、光子IC、3D封裝、CPO架構與熱管理全覆蓋 在技術路線上,禹創半導體採取系統級矽光子佈局,全面覆蓋電子IC、光子 IC、先進3D封裝、CPO架構及熱管理技術,以高度整合的平臺方式提供可持續擴展的技術路線:既能支持當前多 Terabit資料傳輸需求,也可演進至未來每秒百Terabit以上的規模,對應AI基礎設施長週期、深層次的結構性變革。   圖3:EIC、PIC 及 3D 封裝的系統級平臺佈局(來源:ASE官方博客)   生態合作:co-spec/co-validation/co-design,供應鏈 long-term alignment 在生態合作層面,CPO不是單打獨鬥的遊戲,通過與國外夥伴的共同定義規格(co-spec)、協同驗證(co-validation)、共同反覆運算設計(co-design / co-optimization)及供應鏈節點的長期配合(long-term alignment)。此合作模式將有助於在關鍵料件、制程能力與驗證體系上形成更高的進入門檻,並加速產品化與商用落地。   延伸場景:從超大型算力中心到邊緣AI 除超大規模資料中心外,該技術體系亦正快速滲透至邊緣AI場景,包括智慧醫療、機器人、自動化系統與智慧物聯網等,同樣對能效、頻寬密度與系統集成提出更高要求。從超大型算力中心的“主動脈”,到邊緣AI應用的“毛細血管”,資料的流動效率決定了智慧的進化速度。禹創半導體,正致力於成為下一代AI基礎設施中,那個不可或缺的“連結者”。   關於禹創半導體 禹創半導體長期深耕Micro LED與先進封裝量產導入,具備高密度I/O、系統整合、熱管理、可靠度驗證與測試體系建置等系統工程能力;並以此為基礎跨入CPO與矽光子高速互連領域,打造面向AI算力中心的新一代光電整合平臺。   媒體聯繫: 公關部門聯繫電話:0755-26671807 sales郵箱:sales@erised-semi.com 官網連結:https:/www.erised-semi.com    

從 Micro LED 到 CPO:禹創半導體打造下一代光電集成關鍵平臺

【概要描述】鎖定800G/1.6T升級浪潮,以「可驗證、可量產、可交付」加速AI算力中心光互連落地。

禹創半導體今日宣佈:將以現有Micro LED 技術平臺與量產導入經驗為基礎,正式跨入CPO(Co-Packaged Optics,共同封裝光學)領域,打造面向AI算力中心、資料中心與高速交換架構的下一代光電整合關鍵平臺,協助產業解決全球AI基礎設施競爭中最關鍵的系統瓶頸之一——在功耗與散熱壓力持續升高的情況下,仍能實現海量資料的高效率傳輸與可擴展互連。


圖1:架構示意圖

 

 

三大亮點:定義下一代互聯標準


 對準800G/1.6T升級視窗:回應AI資料中心頻寬倍增與互連能耗壓力,光互連成為下一代平臺剛需。
 Micro LED可量產系統工程能力可直接遷移:高密度I/O、封裝整合、熱管理、制程視窗、可靠度驗證與測試體系,匹配 CPO 核心挑戰。
 國際深度共研合作加速產品化:co-spec/co-validation/co-design 與供應鏈長期 alignment,建立更高進入門檻與交付確定性。


 

產業背景:銅纜電互連到極限

隨著「算力即國力」與主權AI成為國家級戰略重點,全球正加速投入AI計算基礎設施建設,網路頻寬需求幾乎以倍數速度成長,從400G快速邁向800G、1.6T乃至更高。傳統纜電互連在頻寬密度、傳輸距離、功耗與散熱方面存在不可逾越的物理限制,已成為系統擴展性與能效提升的核心瓶頸;在高端GPU單晶片功耗持續攀升的趨勢下,互連能耗與熱負載問題更加突出,光互連不再是選項,而是基礎設施。



圖2:AI 算力中心組網架構(來源:《光學學報》, 2025, Fig.10)

 

架構趨勢:矽光子 + CPO 成為必然演進路線
產業普遍認為矽光子(Silicon Photonics)與CPO是下一代架構演進方向。透過將光引擎更靠近甚至直接與計算/交換晶片整合,CPO可顯著降低互連功耗損失、熱負載與系統複雜度,提升頻寬密度與整體能效。

 

禹創策略:以「可量產系統工程」切入 CPO,縮短導入週期、提升交付確定性
在Micro LED領域長期累積的能力,核心不僅是晶片設計,更涵蓋 高密度 I/O、封裝整合、熱管理、制程視窗控制、可靠度驗證與測試體系建置等「可量產系統工程」。上述能力與 CPO 的關鍵挑戰高度重迭,使禹創得以把既有方法論遷移到高速光互連架構,縮短從工程樣品到商用導入的週期,並提升交付確定性。

禹創半導體表示:「我們以『可驗證、可量產、可交付』為CPO佈局的核心原則,透過系統級整合與全球夥伴協同,加速下一代高速光電整合平臺的產品化與落地部署,建立長期競爭力。」

 

系統級平臺佈局:電子IC、光子IC、3D封裝、CPO架構與熱管理全覆蓋
在技術路線上,禹創半導體採取系統級矽光子佈局,全面覆蓋電子IC、光子 IC、先進3D封裝、CPO架構及熱管理技術,以高度整合的平臺方式提供可持續擴展的技術路線:既能支持當前多 Terabit資料傳輸需求,也可演進至未來每秒百Terabit以上的規模,對應AI基礎設施長週期、深層次的結構性變革。
 



圖3:EIC、PIC 及 3D 封裝的系統級平臺佈局(來源:ASE官方博客)

 

生態合作:co-spec/co-validation/co-design,供應鏈 long-term alignment
在生態合作層面,CPO不是單打獨鬥的遊戲,通過與國外夥伴的共同定義規格(co-spec)、協同驗證(co-validation)、共同反覆運算設計(co-design / co-optimization)及供應鏈節點的長期配合(long-term alignment)。此合作模式將有助於在關鍵料件、制程能力與驗證體系上形成更高的進入門檻,並加速產品化與商用落地。

 

延伸場景:從超大型算力中心到邊緣AI
除超大規模資料中心外,該技術體系亦正快速滲透至邊緣AI場景,包括智慧醫療、機器人、自動化系統與智慧物聯網等,同樣對能效、頻寬密度與系統集成提出更高要求。從超大型算力中心的“主動脈”,到邊緣AI應用的“毛細血管”,資料的流動效率決定了智慧的進化速度。禹創半導體,正致力於成為下一代AI基礎設施中,那個不可或缺的“連結者”。

 

關於禹創半導體
禹創半導體長期深耕Micro LED與先進封裝量產導入,具備高密度I/O、系統整合、熱管理、可靠度驗證與測試體系建置等系統工程能力;並以此為基礎跨入CPO與矽光子高速互連領域,打造面向AI算力中心的新一代光電整合平臺。

 

媒體聯繫:
公關部門聯繫電話:0755-26671807
sales郵箱:sales@erised-semi.com
官網連結:https:/www.erised-semi.com
 

 

  • 分類:新闻中心
  • 作者:
  • 來源:
  • 發佈時間:2026-08-05 16:27
  • 訪問量:
詳情

鎖定800G/1.6T升級浪潮,以「可驗證、可量產、可交付」加速AI算力中心光互連落地。

禹創半導體今日宣佈:將以現有Micro LED 技術平臺與量產導入經驗為基礎,正式跨入CPO(Co-Packaged Optics,共同封裝光學)領域,打造面向AI算力中心、資料中心與高速交換架構的下一代光電整合關鍵平臺,協助產業解決全球AI基礎設施競爭中最關鍵的系統瓶頸之一——在功耗與散熱壓力持續升高的情況下,仍能實現海量資料的高效率傳輸與可擴展互連。

圖1:架構示意圖

 

 

三大亮點:定義下一代互聯標準

  1.  對準800G/1.6T升級視窗:回應AI資料中心頻寬倍增與互連能耗壓力,光互連成為下一代平臺剛需。
  2.  Micro LED可量產系統工程能力可直接遷移:高密度I/O、封裝整合、熱管理、制程視窗、可靠度驗證與測試體系,匹配 CPO 核心挑戰。
  3.  國際深度共研合作加速產品化:co-spec/co-validation/co-design 與供應鏈長期 alignment,建立更高進入門檻與交付確定性。

 

產業背景:銅纜電互連到極限

隨著「算力即國力」與主權AI成為國家級戰略重點,全球正加速投入AI計算基礎設施建設,網路頻寬需求幾乎以倍數速度成長,從400G快速邁向800G、1.6T乃至更高。傳統纜電互連在頻寬密度、傳輸距離、功耗與散熱方面存在不可逾越的物理限制,已成為系統擴展性與能效提升的核心瓶頸;在高端GPU單晶片功耗持續攀升的趨勢下,互連能耗與熱負載問題更加突出,光互連不再是選項,而是基礎設施。

圖2:AI 算力中心組網架構(來源:《光學學報》, 2025, Fig.10)

 

架構趨勢:矽光子 + CPO 成為必然演進路線
產業普遍認為矽光子(Silicon Photonics)與CPO是下一代架構演進方向。透過將光引擎更靠近甚至直接與計算/交換晶片整合,CPO可顯著降低互連功耗損失、熱負載與系統複雜度,提升頻寬密度與整體能效。

 

禹創策略:以「可量產系統工程」切入 CPO,縮短導入週期、提升交付確定性
在Micro LED領域長期累積的能力,核心不僅是晶片設計,更涵蓋 高密度 I/O、封裝整合、熱管理、制程視窗控制、可靠度驗證與測試體系建置等「可量產系統工程」。上述能力與 CPO 的關鍵挑戰高度重迭,使禹創得以把既有方法論遷移到高速光互連架構,縮短從工程樣品到商用導入的週期,並提升交付確定性。

禹創半導體表示:「我們以『可驗證、可量產、可交付』為CPO佈局的核心原則,透過系統級整合與全球夥伴協同,加速下一代高速光電整合平臺的產品化與落地部署,建立長期競爭力。」

 

系統級平臺佈局:電子IC、光子IC、3D封裝、CPO架構與熱管理全覆蓋
在技術路線上,禹創半導體採取系統級矽光子佈局,全面覆蓋電子IC、光子 IC、先進3D封裝、CPO架構及熱管理技術,以高度整合的平臺方式提供可持續擴展的技術路線:既能支持當前多 Terabit資料傳輸需求,也可演進至未來每秒百Terabit以上的規模,對應AI基礎設施長週期、深層次的結構性變革。
 

圖3:EIC、PIC 及 3D 封裝的系統級平臺佈局(來源:ASE官方博客)

 

生態合作:co-spec/co-validation/co-design,供應鏈 long-term alignment
在生態合作層面,CPO不是單打獨鬥的遊戲,通過與國外夥伴的共同定義規格(co-spec)、協同驗證(co-validation)、共同反覆運算設計(co-design / co-optimization)及供應鏈節點的長期配合(long-term alignment)。此合作模式將有助於在關鍵料件、制程能力與驗證體系上形成更高的進入門檻,並加速產品化與商用落地。

 

延伸場景:從超大型算力中心到邊緣AI
除超大規模資料中心外,該技術體系亦正快速滲透至邊緣AI場景,包括智慧醫療、機器人、自動化系統與智慧物聯網等,同樣對能效、頻寬密度與系統集成提出更高要求。從超大型算力中心的“主動脈”,到邊緣AI應用的“毛細血管”,資料的流動效率決定了智慧的進化速度。禹創半導體,正致力於成為下一代AI基礎設施中,那個不可或缺的“連結者”。

 

關於禹創半導體
禹創半導體長期深耕Micro LED與先進封裝量產導入,具備高密度I/O、系統整合、熱管理、可靠度驗證與測試體系建置等系統工程能力;並以此為基礎跨入CPO與矽光子高速互連領域,打造面向AI算力中心的新一代光電整合平臺。

 

媒體聯繫:
公關部門聯繫電話:0755-26671807
sales郵箱:sales@erised-semi.com
官網連結:https:/www.erised-semi.com

 

 

上一個: 11
下一個: 下一篇标题
新品|禹创 ERB2140C/D:3 4 串锂电高集成保护芯片,分时均衡来袭 新闻 丨 2026-09-07
禹創半導體正式推出 ERB2140C/D 系列高度集成 3~4 串鋰離子 / 鋰聚合物電池保護芯片,面向無線吸塵器、智慧掃地機器人、洗地機、電動自行車、便攜儲能電源及基站備用電池組等多元應用場景。該系列晶片集成高精度電壓檢測、獨立充放電溫控、分時均衡技術與超低休眠功耗等核心能力,為鋰電 BMS 方案提供高性價比國產選擇。 當前無線吸塵器、洗地機、電動自行車、便攜儲能設備快速普及,電池包設計普遍面臨兩大痛點:一是出廠運輸及長期倉儲過程中自耗電過高導致電芯虧電甚至永久損壞;二是高低溫環境適應性不足,影響極端工況下的可靠性。   一款芯片,覆蓋兩大鋰電體系 ERB2140C/D 系列針對上述痛點定向優化。C 型適配三元鋰 / 鋰聚合物,D 型適配磷酸鐵鋰 / 鋰聚合物,一款產品覆蓋兩大主流鋰電體系,顯著縮短客戶開發週期。   四大核心技術優勢 高精度雙體系電壓檢測 常溫過充檢測精度達 ±25mV,過放檢測精度達 ±30mV,精准監控每節電芯電壓,有效規避過充析鋰與過放不可逆損傷。 獨立充放電溫控調節 充放電溫度閾值通過外部 NTC 及電阻獨立配置,充電過溫 / 低溫、放電過溫 / 低溫兩套參數互不干擾,靈活適配嚴寒、高溫等各類工況。 SEL 引腳靈活切換串數 簡單配置即可完成 3 串 / 4 串切換,並可直驅外置 N 型充電與放電 MOSFET,無需額外驅動電路,大幅降低 BOM 成本。 超低休眠功耗 常溫正常工作電流 15µA,電芯進入過放狀態後自動切換至 5µA 超低休眠模式,有效解決倉儲運輸階段自耗電過大導致的電芯虧電損壞難題,延長終端產品貨架期。   智慧交替分時均衡技術 在四大核心優勢之上,ERB2140C/D 還搭載了創新的分時均衡技術。 晶片採用 24ms 週期對 1、3 通道與 2、4 通道進行分時切換均衡,從根本上規避相鄰通道 MOSFET 誤導通風險。 內置 MOS 均衡支持 500Ω~2kΩ,也可外接三極管實現大電流主動式均衡。 內置 8 秒週期電芯斷線檢測,採樣線路異常即刻關斷充放電回路。   全方位充放電安全防護 放電端 過放電保護:精確監控單節電芯,低壓即刻關斷 DO。 三級過流保護:放電過流 1、放電過流 2 及短路快速回應。 負載鎖定:過流或過溫後鎖定放電,移除負載自動恢復。 充電端 過充保護延時具備重置功能,抗瞬態干擾。 充電過流保護:檢測充電回路異常電流並及時切斷。 部分型號支援 0V 啟動充電,可喚醒完全自放電的電池。   硬體封裝與技術支援 芯片採用 SSOP-16L 緊湊封裝,支持 -40℃ ~ +85℃ 工業級溫度範圍,ESD 防護等級達 HBM 4KV / CDM 1KV。禹創半導體可提供 3 串 / 4 串同口、異口參考設計與外部擴流均衡方案,並配備專業 FAE 團隊支援電路調試、參數定制及量產導入。 如需樣品、規格書或參考設計,歡迎聯繫我們。 下期預告:ER2350/1系列二級保護晶片即將發佈    

提供顯示與電源全面性的解決方案

禹創半導體是一家集成電路設計的半導體技術公司, 擁有獨立自主的知識產權, 專註於芯片研發、設計、製造、測試與銷售, 提供客戶可靠及全面性的解決方案。

請您在訪問、瀏覽本網站時,仔細閱讀《法律聲明》《隱私政策》,如您不同意任一條款,請立即終止訪問,並衷心希望將閣下的意見回饋給我們。 非常感謝閣下的支持! 我同意瀏覽本網站並接受該條款的約束,遵守所有適用的法律、法規。
本網站所用字體爲Misans字體

这是描述信息